Простой транзисторный усилитель на 100 ватт

285

Для получения мощности усилителя до 100Втт. были использованы составные транзисторы (Дарлингтона) TIP142, TIP147, которые на схеме обозначены Т4 и Т5, удалось создать усилитель всего лишь на 5-ти транзисторах, причём 3 из них — маломощные.

Схема:

Простой усилитель,на транзисторах,100Втт.

Выходной каскад усилителя работает в классе B. Напряжение смещения на базах транзисторов определяется с помощью двух диодов D1 и D2. Входной каскад в виде дифференциального включения пары T1 и T2 замыкает цепь отрицательной обратной связи по переменному току.

При сборке усилителя следует обратить особое внимание на расположение элементов на печатной плате, чтобы исключить самовозбуждение усилителя. Самовозбуждение может привести к повреждению выходных транзисторов и, как следствие, к выводу из строя акустической системы.

Заявленная выходная мощность усилителя может достигать 100 ватт при условии, что его питание будет +/- 45 вольт. Все номиналы радиодеталей проставлены на схеме выше. Мощности значимых резисторов указаны, кроме R9 и R10 – смело ставьте от 3 до 5 Вт. В случае проблем при первом запуске попробуйте добавить малое сопротивление между диодами D1 и D2 для регулировки постоянного тока (7 мВ через R9 и R10 будет оптимально). Если слишком много, то попробуйте разные диоды.

Основные параметры транзистора TIP142 биполярного низкочастотного npn:

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: npn

Pc max…….125W

Ucb max……100V

Uce max…….100V

Ueb max…….5V

Ic max…….10A

Tj max, °C……150°C

Ft max…….-

Cc tip……-

Hfe…….500MIN

Простой усилитель,на транзисторах,100Втт.
Общий вид транзистора и цоколевка TIP142.

Обозначение контактов:
Международное: C — коллектор, B — база, E — эмиттер.
По русски: К — коллектор, Б — база, Э — эмиттер.

Основные параметры транзистора TIP147 биполярного низкочастотного pnp:

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: pnp

Pc max……125W

Ucb max……100V

Uce max……100V

Ueb max……5V

Ic max……10A

Tj max, °C……150°C

Ft max……-

Cc tip……-

Hfe……500MIN

Простой усилитель,на транзисторах,100Втт.

Общий вид транзистора и цоколевка транзистора TIP147.

Обозначение контактов:
Международное: C — коллектор, B — база, E — эмиттер.
По русски: К — коллектор, Б — база, Э — эмиттер.

0
Нравится схема? Поделитесь с другом.

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

семь + 20 =